[发明专利]Flash器件耐久性能测试方法有效

专利信息
申请号: 201910898039.2 申请日: 2019-09-23
公开(公告)号: CN110619919B 公开(公告)日: 2021-08-13
发明(设计)人: 杜宏亮 申请(专利权)人: 上海华力微电子有限公司
主分类号: G11C29/50 分类号: G11C29/50
代理公司: 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 代理人: 戴广志
地址: 201203 上海市浦*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明提供一种Flash器件耐久性能测试方法,提供待包含有数个存储单元的待测Flash器件,数个存储单元中包含测试条件相同和不同的多个端口,其中测试条件相同的端口连接至同一个脉冲发生单元,测试条件不同的端口分别单独连接一个脉冲发生单元;使得所有脉冲发生单元分别发出N个周期的同步脉冲电压信号,其中Flash器件的一个擦除和写入作为一个周期;对每个周期下擦除和写入状态的阈值电压分别进行测试。本发明将传统测试方法中所有的直流信号全部转化成脉冲信号,并将相同测试条件的端口连接在同一个脉冲发生单元,利用脉冲发生单元发出同步的周期性波形的特性,进行N次的反复擦除和写入。从而节省测试时间,提高生测试效率,降低生产运营成本。
搜索关键词: flash 器件 耐久 性能 测试 方法
【主权项】:
1.Flash器件耐久性能测试方法,其特征在于,该方法至少包括以下步骤:/n步骤一、提供待测试的Flash器件,该Flash器件包含数个存储单元;/n步骤二、所述数个存储单元中包含测试条件相同和不同的多个端口,其中测试条件相同的端口连接至同一个脉冲发生单元,测试条件不同的端口分别单独连接一个脉冲发生单元;/n步骤三、使得步骤二中的所述脉冲发生单元分别发出N个周期的同步脉冲电压信号,其中所述Flash器件的一个擦除和写入作为一个所述周期;/n步骤四、对每个周期下的所述Flash器件的擦除和写入状态的阈值电压分别进行测试。/n
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