[发明专利]包括场隔离层的集成电路器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201910903777.1 | 申请日： | 2019-09-24 |
| 公开（公告）号： | CN111446251B | 公开（公告）日： | 2023-07-25 |
| 发明（设计）人： | 郑元哲;赵学柱 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H10B10/00 | 分类号： | H10B10/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 弋桂芬 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明公开一种集成电路器件，该集成电路器件包括静态随机存取存储器(SRAM)阵列，该SRAM阵列包括：第一至第四有源鳍，沿第一方向彼此平行地延伸；第一栅极线，与第二至第四有源鳍重叠；第二栅极线，在第一方向上与第一栅极线间隔开并与第一至第三有源鳍重叠；第三栅极线，在第一方向上与第一栅极线间隔开并与第四有源鳍重叠；第四栅极线，在第一方向上与第二栅极线间隔开并与第一有源鳍重叠；第一场隔离层，接触第二有源鳍的一端；以及第二场隔离层，接触第三有源鳍的一端。第一至第四栅极线沿与第一方向交叉的第二方向延伸。 | ||
| 搜索关键词： | 包括 隔离 集成电路 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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