[发明专利]一种基于键合工艺制备超厚胶膜的制作方法在审
| 申请号： | 201910904884.6 | 申请日： | 2019-09-24 |
| 公开（公告）号： | CN110676206A | 公开（公告）日： | 2020-01-10 |
| 发明（设计）人： | 郁发新;冯光建;高卫斌;马飞;程明芳 | 申请（专利权）人： | 浙江集迈科微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/683 | 分类号： | H01L21/683;H01L21/56 |
| 代理公司： | 33283 杭州天昊专利代理事务所(特殊普通合伙) | 代理人： | 董世博 |
| 地址： | 313100 浙江省湖州市长兴县经济技术开发*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种基于键合工艺制备超厚胶膜的制作方法，具体包括如下步骤：101)辅助载板制作步骤、102)电路载板制作步骤、103)键合步骤和104)去辅助载板步骤；本发明提供具有超厚保护膜、且成品率高的一种基于键合工艺制备超厚胶膜的制作方法。 | ||
| 搜索关键词： | 辅助载板 键合工艺 制作 超厚 胶膜 制备 超厚保护膜 电路载板 成品率 键合 | ||
【主权项】：
1.一种基于键合工艺制备超厚胶膜的制作方法，其特征在于：具体包括如下步骤：/n101)辅助载板制作步骤：在辅助载板表面制作分离层，该分离层采用喷涂法、旋涂法或者直接粘贴工艺制成；分离层表面涂布光刻胶，涂布方式采用喷涂法、旋涂法或者直接粘贴工艺来实现；其中，通过涂布多次光刻胶的方式获得辅助厚胶膜，辅助厚胶膜厚度在10nm到1000um之间；/n102)电路载板制作步骤：在布有电路金属线的电路载板表面涂布光刻胶，涂布方式采用喷涂法、旋涂法或者直接粘贴工艺来实现；其中，通过涂布多次光刻胶的方式获得保护厚胶膜，保护厚胶膜厚度在10nm到1000um之间；通过软烘烤使保护厚胶膜流平，实现电路载板表面的光刻胶平整最大化；/n103)键合步骤：将步骤101)电路载板设置保护厚胶膜的一侧和步骤102)辅助载板设置辅助厚胶膜的一侧，在真空环境下进行热压键合，使保护厚胶膜和辅助厚胶膜粘合在一起形成保护膜；/n104)去辅助载板步骤：通过加热或者光照射使辅助载板和电路载板分离，并通过干法刻蚀或者湿法清洗工艺去除保护膜表面的分离层，得到涂有保护膜的电路载板。/n
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于浙江集迈科微电子有限公司，未经浙江集迈科微电子有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201910904884.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：芯片的衬底的多次使用方法及红外探测器
- 下一篇：分离装置以及分离方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
