[发明专利]用于纳米级相变存储器单元的水平电极配置结构有效
| 申请号： | 201910906738.7 | 申请日： | 2019-09-24 |
| 公开（公告）号： | CN110635031B | 公开（公告）日： | 2021-04-30 |
| 发明（设计）人： | 马平;童浩;缪向水 | 申请（专利权）人： | 华中科技大学 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 武汉东喻专利代理事务所(普通合伙) 42224 | 代理人： | 宋敏 |
| 地址： | 430074 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种用于纳米级相变存储器单元的水平电极配置结构，其中：水平电极配置结构包括上层电极材料层和下层相变材料层；上层电极材料层包括外环共漏接地上层电极和内部源端上层电极，内部源端上层电极位于外环共漏接地上层电极中，两者之间具有环形槽；内部源端上层电极接源端、外环共漏接地上层电极共漏接地、不可进行源漏端交换，电流从内部源端上层电极的等电势面水平流向外环共漏接地上层电极的外环等电势面。对于高阻非晶态，与方形结构相比，等效阻值R显著降低，读取电流增大，便于进行正确读取。而且，电流的水平流向方式减小了一般意义上的两端元件串联电流损耗，从而降低了非晶化过程所需要的阈值电流，减小了整体功耗。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 纳米 相变 存储器 单元 水平 电极 配置 结构 | ||
【主权项】：
1.一种用于纳米级相变存储器单元的水平电极配置结构，其特征在于：/n所述水平电极配置结构(100)包括上层电极材料层(120)和下层相变材料层(130)；/n所述上层电极材料层(120)包括外环共漏接地电极(122)和内部源端电极(124)，所述内部源端电极(124)位于所述外环共漏接地电极(122)中，两者之间具有环形槽；/n所述内部源端电极(124)接源端、所述外环共漏接地电极(122)共漏接地、不可进行源漏端交换，电流从所述内部源端电极(124)的等电势面水平流向所述外环共漏接地电极(122)的外环等电势面。/n
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