[发明专利]一种改善卷边残铜的封装基板制造方法在审
| 申请号： | 201910909360.6 | 申请日： | 2019-09-25 |
| 公开（公告）号： | CN110581062A | 公开（公告）日： | 2019-12-17 |
| 发明（设计）人： | 叶新智;王健;杨洁;孙彬;沈洪;李晓华 | 申请（专利权）人： | 江苏上达电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/027 |
| 代理公司： | 32220 徐州市三联专利事务所 | 代理人： | 张帅 |
| 地址： | 221000 江苏省徐州市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种改善卷边残铜的封装基板制造方法，属于线路板技术领域。包括步骤：准备由金属层和绝缘薄膜层构成的基材；在绝缘薄膜层上黏附一层PI层；在金属层上进行光刻胶涂布，在金属层和PI层上形成一层光刻胶薄层；在组成部位的两侧边缘处形成搬送链轮孔；剥离PI层，留下由光刻胶层、金属层和绝缘薄膜层组成的卷带；将得到的卷带，进行曝光、显影加工，形成线路后，设置保护层，搭载电子元器件，最终得到封装基板。本发明的有益效果是：在涂布加工时，对金属层面进行光刻胶涂布，光刻胶在金属层上均匀分布，不需要在显影设备上设置SPOT UV装置，曝光结束后直接进行显影，也不会出现光刻胶残留的问题，可以有效的避免卷边残铜的出现。 | ||
| 搜索关键词： | 金属层 绝缘薄膜层 光刻胶涂布 封装基板 光刻胶 残铜 卷边 卷带 显影 电子元器件 光刻胶残留 两侧边缘处 光刻胶层 金属层面 涂布加工 显影设备 线路板 曝光 保护层 链轮孔 薄层 基材 黏附 剥离 加工 制造 | ||
【主权项】：
1.一种改善卷边残铜的封装基板制造方法，其特征在于，包括步骤：/n步骤A：准备由金属层（1）和绝缘薄膜层（2）构成的基材；/n步骤B：在绝缘薄膜层（2）上黏附一层PI层（3），PI层（3）的宽幅大于基材的宽幅；/n步骤C：在金属层（1）上进行光刻胶涂布，在金属层（1）和PI层（3）上形成一层光刻胶薄层（4）；/n步骤D：在组成部位的两侧边缘处形成搬送链轮孔（5）；/n步骤E：剥离绝缘薄膜层（2）上的PI层（3），PI层（3）上的光刻胶随之脱落，留下由光刻胶层（4）、金属层（1）和绝缘薄膜层（2）组成的卷带；/n步骤F：将得到的卷带，进行曝光、显影加工，形成线路后，设置保护层，搭载电子元器件，最终得到封装基板。/n
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于江苏上达电子有限公司，未经江苏上达电子有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201910909360.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
