[发明专利]一种含膦稠杂环化合物及其制备方法和用途

摘要

本发明提供了一种含膦稠杂环化合物及其制备方法和用途。所述含膦稠杂环化合物具有式I、式II、式III、式IV或式V所示结构。本发明提供的含膦稠杂环化合物中具有双磷氧键，并引入了吸电子的或大体积的Ar3、Ar4基团，因此具有较低的LUMO能级，较高的电子传输能力和较高的热分解温度，其可作为光电器件的电子传输材料，降低器件驱动电压，提高电流效率，并在器件制备和使用的过程中保持热稳定，延长器件寿命。

主权项

1.一种含膦稠杂环化合物，其特征在于，所述含膦稠杂环化合物具有如下式I、式II、式III、式IV或式V所示结构：/n /n其中，T¹、T²各自独立地为氧或硫；/nAr¹、Ar²各自独立地选自取代或未取代的饱和或部分不饱和C₃-C₃₀杂环基团、取代或未取代的C₆-C₃₀芳基、取代或未取代的C₃-C₃₀杂芳基、取代或未取代的芴基中的任意一种；/nAr³、Ar⁴各自独立地选自氢、氘、卤素、氰基、硝基、取代或未取代的C₁-C₂₀烷基、取代或未取代的C₁-C₂₀烷氧基、取代或未取代的C₁-C₂₀烯基、取代或未取代的饱和或部分不饱和C₃-C₃₀碳环基团、取代或未取代的饱和或部分不饱和C₃-C₃₀杂环基团、取代或未取代的C₆-C₃₀芳基、取代或未取代的C₆-C₃₀芳氧基、取代或未取代的C₃-C₃₀杂芳基、取代或未取代的芴基或-L-N(R¹)(R²)中的任意一种，且Ar³、Ar⁴至少一个不为氢；/nL选自单键、取代或未取代的C₆-C₂₀的芳基中的任意一种；R¹、R²各自独立地选自取代或未取代的C₄-C₆₀芳基、取代或未取代的C₃-C₆₀杂芳基中的任意一种；/nY¹-Y⁸各自独立地选自氢、氘、卤素、氰基、硝基、取代或未取代的C₁-C₆₀烷基、取代或未取代的C₂-C₆₀烯基、取代或未取代的C₂-C₆₀炔基、取代或未取代的C₁-C₆₀烷胺基、取代或未取代的C₂-C₆₀烯胺基、取代或未取代的C₂-C₆₀炔胺基、取代或未取代的C₁-C₆₀烷氧基、取代或未取代的C₂-C₆₀烯氧基、取代或未取代的C₂-C₆₀炔氧基、取代或未取代的C₁-C₆₀硫代烷氧基、取代或未取代的C₂-C₆₀硫代烯氧基、取代或未取代的C₂-C₆₀硫代炔氧基、取代或未取代的C₁-C₆₀烷硼基、取代或未取代的C₂-C₆₀烯硼基、取代或未取代的C₂-C₆₀炔硼基、取代或未取代的C₆-C₆₀芳基、取代或未取代的C₃-C₆₀杂芳基、取代或未取代的C₆-C₆₀芳氧基、取代或未取代的C₆-C₆₀芳胺基、取代或未取代的C₆-C₆₀硫代芳氧基、取代或未取代的C₆-C₆₀芳硼基中的任意一种，或者Y¹-Y⁸中至少两个基团结合成至少一个环，所述环为3-7元饱和或部分不饱和的碳环、3-7元饱和或部分不饱和的杂环、C₆-C₆₀的芳环或C₃-C₃₀的芳杂环；R3为取代或未取代的C₁-C₂₀烷基；/n如上所述基团中含有杂原子时，所述杂原子选自O、S、N、P、Si中的一种或至少两种的组合；/n如上所述基团中含有取代基时，所述取代基选自氘、卤素、氰基、硝基、脒基、肼基、C₁-C₁₀的烷基、C₁-C₁₀的氟代烷基、C₂-C₁₀的烯基、C₆-C₃₀的芳基、C₃-C₃₀的杂芳基中的任意一种或至少两种的组合。/n