[发明专利]光掩模基板、其修正方法、制造方法和处理方法、光掩模的制造方法以及基板处理装置在审
| 申请号： | 201910910496.9 | 申请日： | 2019-09-25 |
| 公开（公告）号： | CN110967924A | 公开（公告）日： | 2020-04-07 |
| 发明（设计）人： | 山口昇 | 申请（专利权）人： | HOYA株式会社 |
| 主分类号： | G03F1/72 | 分类号： | G03F1/72;G03F1/38 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 孟伟青;褚瑶杨 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及光掩模基板、其修正方法、制造方法和处理方法、光掩模的制造方法以及基板处理装置，能够不需要时间和工时对光掩模的缺陷修正，由此提高光掩模制造的生产效率和品质。该光掩模基板的修正方法具有：准备光掩模基板(10)的工序，该光掩模基板(10)在透明基板(100)的一个主表面上形成有用于形成转印用图案的光学膜(200)；和针对在光学膜(200)中产生的缺失缺陷形成修正膜的修正工序。修正工序中，将原料气体供给至光掩模基板(10)的形成有光学膜(200)的第1主表面中的缺失缺陷的位置附近，同时从光掩模基板(10)的第2主表面侧照射激光，利用透过了缺失缺陷的激光使原料气体发生反应，使修正膜堆积在第1主表面的缺失缺陷的位置。 | ||
| 搜索关键词： | 光掩模基板 修正 方法 制造 处理 光掩模 以及 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
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