[发明专利]半导体存储器制备方法有效
| 申请号： | 201910911272.X | 申请日： | 2019-09-25 |
| 公开（公告）号： | CN112563272B | 公开（公告）日： | 2023-05-26 |
| 发明（设计）人： | 朱长立;鲍锡飞 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H10B12/00 | 分类号： | H10B12/00 |
| 代理公司： | 华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 虞凌霄 |
| 地址： | 230000 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本申请涉及半导体存储器制备方法，包括：提供半导体基底，半导体基底顶面具有多个间隔设置的电容接触区，各电容接触区上形成有电容接触结构，电容接触结构上形成有覆盖电容接触结构和相邻电容接触结构之间区域的电容隔离结构，其中，电容接触结构包括依次向上叠设的电容接触层和导电材料层；在电容隔离结构上形成牺牲层；依次向下刻蚀牺牲层、电容隔离结构和导电材料层，形成电容孔，通过电容孔暴露电容接触层；在电容孔内依次形成下电极层、电容介质层和上电极层。通过增加导电材料层，提升电容隔离层的位置并减薄牺牲层，有利于对电容隔离层和牺牲层进行刻蚀，降低刻蚀不到位而使下电极板不能与与电容接触层电连接的风险。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储器 制备 方法 | ||
【主权项】：
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