[发明专利]集成组合件及形成集成组合件的方法在审
申请号: | 201910912837.6 | 申请日: | 2019-09-25 |
公开(公告)号: | CN111009526A | 公开(公告)日: | 2020-04-14 |
发明(设计)人: | A·努尔巴赫什;J·K·查胡瑞;S·D·唐;S·博尔萨里;李红 | 申请(专利权)人: | 美光科技公司 |
主分类号: | H01L27/108 | 分类号: | H01L27/108;H01L21/8242 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 王龙 |
地址: | 美国爱*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本申请案涉及集成组合件及形成集成组合件的方法。一些实施例包含一种集成组合件,所述集成组合件具有沿着第一方向延伸的数字线及位于所述数字线上方的轨道。所述轨道包含与中介绝缘区相交替的半导体材料柱。所述轨道具有上部区段、中间区段及下部区段。第一绝缘材料沿着所述轨道的所述上部区段及所述下部区段。第二绝缘材料沿着所述轨道的所述中间区段。所述第二绝缘材料与所述第一绝缘材料在厚度及组成中的一者或两者上有所不同。导电栅极材料沿着所述轨道的所述中间区段,且通过所述第二绝缘材料与所述中间区段间隔开。沟道区位于所述柱的中间区段内,上部源极/漏极区位于所述柱的上部区段内,且下部源极/漏极区位于所述柱的下部区段内。一些实施例包含形成集成组合件的方法。 | ||
搜索关键词: | 集成 组合 形成 方法 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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