[发明专利]在模制电子装置中形成暴露腔的方法在审
| 申请号： | 201910919566.7 | 申请日： | 2019-09-26 |
| 公开（公告）号： | CN112563155A | 公开（公告）日： | 2021-03-26 |
| 发明（设计）人： | D·尚关;D·盖格;V·伊耶;杨程 | 申请（专利权）人： | 伟创力有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/56 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 林彦 |
| 地址： | 新加坡*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请涉及在模制电子装置中形成暴露腔的方法。方法包含：接收包含传感器或发射器的至少一个电子装置；将覆盖物放置在所述传感器或发射器上方；将包含所述覆盖物的所述电子装置放置到转移模制系统中；用电荷材料囊封所述电子装置；以及移除所述囊封电荷材料和所述覆盖物的一部分以使所述传感器或发射器暴露于环境。 | ||
| 搜索关键词： | 电子 装置 形成 暴露 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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