[发明专利]提高黑组件良率的PERC电池生产控制方法在审
| 申请号： | 201910920404.5 | 申请日： | 2019-09-27 |
| 公开（公告）号： | CN110676347A | 公开（公告）日： | 2020-01-10 |
| 发明（设计）人： | 刘斌;黄辉巍;陈正飞;杨红进;薛成栋 | 申请（专利权）人： | 江苏顺风新能源科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;H01L31/068 |
| 代理公司： | 32302 常州知融专利代理事务所(普通合伙) | 代理人： | 路接洲 |
| 地址： | 213000 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种提高黑组件良率的PERC电池生产控制方法，包括：1)在硅片正面通过管式热氧化方式生长一层SiO | ||
| 搜索关键词： | 管式PECVD镀膜 硅片背面 硅片正面 电池片 良率 色差 测试分选装置 光电转换效率 丝网印刷网版 致密氧化铝 电池生产 激光开槽 丝网印刷 烧结 生长 背板层 满意度 热氧化 分选 管式 膜厚 细栅 栅线 背面 降级 客户 | ||
【主权项】：
1.一种提高黑组件良率的PERC电池生产控制方法，其特征在于：包括以下步骤：/n1)在硅片正面通过管式热氧化方式生长一层SiO
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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