[发明专利]一种高效筛选高质量碳纳米管生长条件的高通量方法有效
| 申请号： | 201910921402.8 | 申请日： | 2019-09-27 |
| 公开（公告）号： | CN110592556B | 公开（公告）日： | 2021-05-28 |
| 发明（设计）人： | 刘畅;吉忠海;张莉莉;汤代明;成会明 | 申请（专利权）人： | 中国科学院金属研究所 |
| 主分类号： | C23C16/26 | 分类号： | C23C16/26;C23C14/04;C23C14/16;C23C16/02;C23C28/00;C01B32/16;G06F40/186 |
| 代理公司： | 沈阳优普达知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 21234 | 代理人： | 张志伟 |
| 地址： | 110016 辽*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 本发明涉及碳纳米管制备与结构控制领域，具体为一种高效筛选高质量碳纳米管生长条件的高通量方法。将离子束沉积方法与四元模板法相结合，在同一标记硅片基底上制备出不同厚度或成分组合的催化剂薄膜，并采用化学气相沉积法催化生长获得碳纳米管水平网络。此后对样品进行拉曼光谱面扫分析，将获得的碳纳米管G、D模强度比值作为判断碳纳米管质量的依据，并利用标记硅片定位关联催化剂薄膜厚度或成分等与碳纳米管质量的关系。进一步建立Excel模板对多组G、D模强度比进行自动分析，筛选出生长高质量碳纳米管的最佳催化剂薄膜厚度和最佳生长条件。从而，适于高效筛选出催化剂厚度或成分、温度、气氛等反应参数，生长高质量碳纳米管。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 高效 筛选 质量 纳米 生长 条件 通量 方法 | ||
【主权项】：
1.一种高效筛选高质量碳纳米管生长条件的高通量方法，其特征在于，将离子束沉积方法与“四元模板法”相结合，通过在物理沉积制备催化剂薄膜的过程中两次以上旋转掩模板，在同一标记硅片基底上制备出不同厚度或成分组合的催化剂薄膜，其中，催化剂薄膜厚度通常决定催化剂颗粒大小；在一系列温度和反应气氛下对催化剂进行预处理，并采用化学气相沉积法催化生长获得碳纳米管水平网络；此后对样品进行拉曼光谱面扫分析，将获得的碳纳米管G、D模强度比值作为判断碳纳米管质量的依据；进一步建立Excel模板对多组厚度催化剂生长的碳纳米管的G、D模强度比(I
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
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