[发明专利]一种生长基板及微元件的转移方法有效
| 申请号： | 201910936701.9 | 申请日： | 2019-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN112582343B | 公开（公告）日： | 2022-12-06 |
| 发明（设计）人： | 姚志博;夏继业;曹轩;郭恩卿 | 申请（专利权）人： | 成都辰显光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/78 | 分类号： | H01L21/78;H01L27/15 |
| 代理公司： | 广东君龙律师事务所 44470 | 代理人： | 丁建春 |
| 地址： | 611731 四川*** | 国省代码： | 四川;51 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请公开了一种生长基板及微元件的转移方法，所述生长基板包括：透明衬底；多个微元件，形成于所述透明衬底一侧，且多个所述微元件间隔设置；多个透明间隔件，相邻所述微元件之间的间隔内设置有所述透明间隔件，其中，在激光照射作用下，所述微元件与所述透明衬底脱离，而所述透明间隔件与所述透明衬底不脱离。通过上述方式，本申请能够在激光剥离后使微元件不全部陷入键合胶层中。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 生长 元件 转移 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
