[发明专利]光刻曝光补值模式在审
| 申请号： | 201910937977.9 | 申请日： | 2019-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN110647016A | 公开（公告）日： | 2020-01-03 |
| 发明（设计）人： | 刘隽瀚;许邦泓;王志宏 | 申请（专利权）人： | 上海华力集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20 |
| 代理公司： | 31211 上海浦一知识产权代理有限公司 | 代理人： | 张彦敏 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及光刻曝光补值模式，涉及半导体集成电路制造技术，通过建立高阶的HOWA3补值模式，应用于在光刻区使用的CMP机台与后段制程工艺中使用的CMP机台不同的半导体集成电路的制造工艺流程中，可产生6个补值项目，且可提高光刻曝光补偿精度。 | ||
| 搜索关键词： | 机台 光刻曝光 半导体集成电路制造 半导体集成电路 后段制程 工艺流程 高阶 光刻 应用 制造 | ||
【主权项】：
1.一种光刻曝光补值模式，其特征在于，该光刻曝光补值模式产生6个补值项目，分别为Tx、Ty、Mx、My、Rot和Non-ortho，其中，Tx和Ty为曝光面内晶圆在X轴和Y轴上的侧移偏移量，Mx和My为曝光面内晶圆在X轴和Y轴上的扩张偏移量，Rot为曝光面内晶圆在X轴和Y轴上的旋转偏移量，Non-ortho为曝光面内晶圆在X轴和Y轴上的非正交旋转偏移量，该光刻曝光补值模式为：/ndx＝X
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