[发明专利]图像传感器装置在审
| 申请号： | 201910938047.5 | 申请日： | 2019-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN111009539A | 公开（公告）日： | 2020-04-14 |
| 发明（设计）人： | 关根裕之;奈良修平;石野隆行;山本祐辅 | 申请（专利权）人： | 天马日本株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146;H01L27/02 |
| 代理公司： | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人： | 何月华 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种图像传感器装置，包括具有整流特性的元件和薄膜晶体管的装置，该装置包括具有允许电流从上电极流到下电极的整流特性的第一元件、n沟道薄膜晶体管和控制电极。n沟道薄膜晶体管包括半导体膜、栅电极、第一信号电极和第二信号电极。控制电极面对栅电极，半导体膜设置在控制电极与栅电极之间。第二信号电极与下电极连接。控制电极与下电极连接。当在平面上观察时，半导体膜的在第一信号电极侧的第一沟道端的至少一部分位于控制电极的区域内。当在平面上观察时，半导体膜的在第二信号电极侧的第二沟道端远离控制电极。 | ||
| 搜索关键词： | 图像传感器 装置 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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