[发明专利]晶圆洗边侦测装置和方法在审
| 申请号： | 201910938169.4 | 申请日： | 2019-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN110610880A | 公开（公告）日： | 2019-12-24 |
| 发明（设计）人： | 王赫 | 申请（专利权）人： | 上海华力集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/66 |
| 代理公司： | 31211 上海浦一知识产权代理有限公司 | 代理人： | 郭四华 |
| 地址： | 201315 上海市浦东新区中国(上*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种晶圆洗边侦测装置，设置在电镀机台的晶圆洗边工艺腔的下一级的晶圆传送位置上；晶圆洗边侦测装置包括探测器和旋转装置，旋转装置用于对晶圆进行旋转并选定侦测位置，侦测位置位于晶圆的边缘上；探测器固定设置在晶圆上方并对晶圆的侦测位置处晶圆的边缘进行在线侦测，探测器对多个侦测位置进行在线侦测并形成侦测结果。本发明还公开了一种晶圆洗边侦测方法。本发明能提高晶圆洗边侦测的准确性，减少误判断，提高产品良率。 | ||
| 搜索关键词： | 晶圆 洗边 侦测位置 探测器 旋转装置 在线侦测 侦测装置 侦测 种晶 机台 产品良率 传送位置 固定设置 侦测结果 电镀 工艺腔 误判断 | ||
【主权项】：
1.一种晶圆洗边侦测装置，其特征在于：晶圆洗边侦测装置设置在电镀机台的晶圆洗边工艺腔的下一级的晶圆传送位置上；/n所述晶圆洗边侦测装置包括探测器和旋转装置，所述旋转装置用于对所述晶圆进行旋转并选定侦测位置，所述侦测位置位于所述晶圆的边缘上；/n所述探测器固定设置在所述晶圆上方并对所述晶圆的所述侦测位置处所述晶圆的边缘进行在线侦测，所述探测器对多个所述侦测位置进行在线侦测并形成侦测结果。/n
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海华力集成电路制造有限公司，未经上海华力集成电路制造有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201910938169.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
