[发明专利]阵列基板及其制备方法和显示面板有效
| 申请号： | 201910940029.0 | 申请日： | 2019-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN110718560B | 公开（公告）日： | 2021-05-07 |
| 发明（设计）人： | 肖军城;田超 | 申请（专利权）人： | 武汉华星光电技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/12 | 分类号： | H01L27/12;H01L21/77;H01L27/32 |
| 代理公司： | 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 | 代理人： | 汪阮磊 |
| 地址： | 430079 湖北省武汉市*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明实施例公开了一种阵列基板及其制备方法和显示面板，所述阵列基板包括：衬底基板；第一栅极层，形成于所述衬底基板上；像素阵列层，形成于所述第一栅极层上；第二栅极层，形成于所述像素阵列层上；其中，所述第二栅极层包括第一电极层、传感层和第二电极层，所述传感层形成于所述第一电极层上，所述第二电极层形成于所述传感层上。本发明实施例中相较于传统技术，本发明将传感材料与薄膜晶体管相结合，在所述薄膜晶体管上制备传感层，由于薄膜晶体管的可大面积制备，使得传感器可以大面积制备，从而提高传感器的使用性能，降低传感器生产成本。 | ||
| 搜索关键词： | 阵列 及其 制备 方法 显示 面板 | ||
【主权项】：
1.一种阵列基板，其特征在于，所述阵列基板包括：/n衬底基板；/n第一栅极层，形成于所述衬底基板上；/n像素阵列层，形成于所述第一栅极层上；/n第二栅极层，形成于所述像素阵列层上；/n其中，所述第二栅极层包括第一电极层、传感层和第二电极层，所述传感层形成于所述第一电极层上，所述第二电极层形成于所述传感层上。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
