[发明专利]一种超大尺寸单晶硅片的清洗方法有效
| 申请号： | 201910942021.8 | 申请日： | 2019-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN110665893B | 公开（公告）日： | 2021-08-13 |
| 发明（设计）人： | 王冬雪;孙小杰;王大伟;黄磊;郭成钢 | 申请（专利权）人： | 内蒙古中环光伏材料有限公司 |
| 主分类号： | B08B3/08 | 分类号： | B08B3/08;B08B3/04;B08B3/10;B08B3/12;B08B11/00;B08B13/00;H01L21/02 |
| 代理公司： | 天津诺德知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 12213 | 代理人： | 栾志超 |
| 地址： | 010070 内蒙古自*** | 国省代码： | 内蒙古;15 |
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| 摘要： | 本发明提供一种超大尺寸单晶硅片的清洗方法，包括以下步骤，依次对硅片进行清洗：S1：第一药液清洗；S2：溢流清洗；S3：第二药液清洗；S4：第三药液清洗；S5：溢流清洗；S6：慢提拉，在慢提拉过程中进行喷淋。本发明的有益效果是对硅片依次进行第一药液清洗、第二药液清洗和第三药液清洗，硅片清洗后，硅片表面洁净度高，同时硅片表面金属离子残留较少，提高硅片表面洁净度，提升后续电池片的转化效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 超大 尺寸 单晶硅 清洗 方法 | ||
【主权项】：
1.一种超大尺寸单晶硅片的清洗方法，其特征在于：包括以下步骤，依次对硅片进行清洗：/nS1：第一药液清洗；/nS2：溢流清洗；/nS3：第二药液清洗；/nS4：第三药液清洗；/nS5：溢流清洗；/nS6：慢提拉，在慢提拉过程中进行喷淋。/n
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