[发明专利]三维半导体存储器装置在审

专利信息
申请号: 201910949878.2 申请日: 2019-10-08
公开(公告)号: CN111009528A 公开(公告)日: 2020-04-14
发明(设计)人: 白石千;林根元;申载勋;李明根 申请(专利权)人: 三星电子株式会社
主分类号: H01L27/11556 分类号: H01L27/11556
代理公司: 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 代理人: 赵南;张帆
地址: 韩国*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 公开了一种三维半导体存储器装置,所述三维半导体存储器装置包括:第一衬底上的外围电路结构;外围电路结构上的第二衬底;第一堆叠结构至第四堆叠结构,它们在第二衬底上在第一方向上间隔开;第一支承连接件和第二支承连接件,它们在第二堆叠结构与第三堆叠结构之间;第三支承连接件和第四支承连接件,它们在第三堆叠结构与第四堆叠结构之间;以及穿通电介质图案,其穿过第一堆叠结构和第二衬底。第一支承连接件与第二支承连接件之间的第一距离与第三支承连接件与第四支承连接件之间的第二距离不同。
搜索关键词: 三维 半导体 存储器 装置
【主权项】:
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