[发明专利]基板处理装置以及基板处理方法在审
申请号: | 201910950303.2 | 申请日: | 2016-03-23 |
公开(公告)号: | CN110660647A | 公开(公告)日: | 2020-01-07 |
发明(设计)人: | 吉富大地;井上一树;岩见优树;石井弘晃 | 申请(专利权)人: | 株式会社思可林集团 |
主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02;H01L21/67;H01L21/687 |
代理公司: | 72003 隆天知识产权代理有限公司 | 代理人: | 宋晓宝;向勇 |
地址: | 日本京都*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供抑制处理液附着在基板的非处理面上的基板处理装置以及方法。装置具有:保持构件,从下方将基板保持为水平;相向构件,具有与基板的上表面隔开间隙相向的主体部和从主体部的周缘部中至少一部分向保持构件的侧方延伸的延伸设置部。在延伸设置部的顶端侧部分和保持构件的侧面部分中一个部分设置突出部,在另一个部分上设置限制结构,限制构件在以旋转轴为中心的周向上从突出部的前后与其相向,来限制突出部在周向上的相对移动。保持构件和相向构件在周向上的相对移动受到限制,该装置具有使保持构件和相向构件中的至少一方以旋转轴为中心旋转的旋转机构和向基板的处理面喷出处理液的喷嘴,突出部和限制结构比保持构件的上表面靠下方。 | ||
搜索关键词: | 保持构件 相向 突出部 基板 延伸设置部 限制结构 相对移动 处理液 上表面 旋转轴 主体部 基板处理装置 限制突出部 基板保持 限制构件 旋转机构 中心旋转 喷嘴 处理面 周缘部 侧方 隔开 喷出 附着 侧面 延伸 | ||
【主权项】:
1.一种基板处理装置,其特征在于,/n具有:/n保持构件,从下方将基板保持为大致水平,并具有与所述基板的下表面隔开间隙相向的上表面,该保持构件能够以规定的旋转轴为中心进行旋转,/n相向构件,具有与由所述保持构件保持的所述基板的上表面隔开间隙相向的主体部和从所述主体部的周缘部以包围所述基板的端面的方式向所述保持构件侧延伸的筒状的延伸设置部,所述相向构件能够以所述旋转轴为中心进行旋转,/n旋转机构,使所述保持构件和所述相向构件以所述旋转轴为中心向相互相同的方向旋转,/n喷嘴,向由所述保持构件保持并旋转的所述基板的上表面以及下表面中的某一个处理面喷出处理液;/n所述相向构件包括在包围所述基板的上表面以及端面的内侧面中的一部分形成的环状的凹部,该一部分设置在所述延伸设置部的顶端侧部分与所述内侧面中的与所述基板相向的相向面之间的部分,所述环状的凹部与所述相向面的周缘部相比向上方凹陷。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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