[发明专利]制造图像传感器的方法在审
| 申请号： | 201910956077.9 | 申请日： | 2019-10-10 |
| 公开（公告）号： | CN110660818A | 公开（公告）日： | 2020-01-07 |
| 发明（设计）人： | 北村阳介 | 申请（专利权）人： | 德淮半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 11038 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 张小稳 |
| 地址： | 223300 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本公开涉及制造图像传感器的方法。提供了一种制造图像传感器的方法，所述方法包括：提供衬底，衬底中包括感光单元阵列；在衬底上形成第一材料层，该第一材料层包括与感光单元阵列对应地设置的第一部分以及与第一部分相邻的第二部分；去除第一材料层的第二部分，以在第一材料层中形成多个沟槽；形成第二材料层，所述第二材料层覆盖在第一材料层的第一部分上并且覆盖多个沟槽中的各沟槽的侧壁和底部；形成金属层，所述金属层覆盖在第二材料层上并填充所述多个沟槽中的各沟槽；去除所述金属层的一部分和所述第二材料层的一部分，以保留多个沟槽中的各沟槽中的所述第二材料层和所述金属层；去除所述第一材料层的第一部分，以形成多个第一开口。 | ||
| 搜索关键词： | 第一材料 第二材料层 金属层 衬底 去除 感光单元阵列 图像传感器 覆盖 侧壁 填充 制造 开口 保留 | ||
【主权项】：
1.一种制造图像传感器的方法，其特征在于，所述方法包括：/n提供衬底，所述衬底中包括感光单元阵列；/n在所述衬底上形成第一材料层，所述第一材料层包括与所述感光单元阵列对应地设置的第一部分以及与所述第一部分相邻的第二部分；/n去除所述第一材料层的第二部分，以在所述第一材料层中形成多个沟槽；/n形成第二材料层，所述第二材料层覆盖在所述第一材料层的第一部分上并且覆盖所述多个沟槽中的各沟槽的侧壁和底部；/n形成金属层，所述金属层覆盖在所述第二材料层上并填充所述多个沟槽中的各沟槽；/n去除所述金属层的一部分和所述第二材料层的一部分，以保留所述多个沟槽中的各沟槽中的所述第二材料层和所述金属层；/n去除所述第一材料层的第一部分，以形成多个第一开口。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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