[发明专利]一种利用薄膜电路设计实现多级放大器芯片馈电电路结构

摘要

本发明公开了一种利用薄膜电路设计实现多级放大器芯片馈电电路结构，属于微波技术领域，包括多个高频通道电路基板、馈电电路基板、多个放大器芯片与偏置电路。本发明解决了放大器两侧不同规格的电容分布零散、装配效率及分布问题，降低了设计与制造成本，在保证设计区域大小的同时使缩短工序成为可能；可以实现对放大器芯片的馈电，并可以给下一级放大器芯片提供电源通路；复合偏置电路方形金属化图形电容容值也不需要精确控制，电路互联图形根据放大电路匹配需求进行设计也比较随意、灵活；复合偏置电路更小巧、更便于贴装，可以很好地解决在封装中因器件之间间隔小而导致导电胶的堆积所引起的短路问题。

主权项

1.一种利用薄膜电路设计实现多级放大器芯片馈电电路结构，其特征在于：多个高频通道电路基板、馈电电路基板、多个放大器芯片与偏置电路，所述高频通道电路基板的数量至少为三个，所述馈电电路基板的数量比所述高频通道电路基板的数量少一个，所述放大器芯片的数量比所述高频通道电路基板的数量少一个，多个所述高频通道电路基板与多个放大器芯片间隔设置依次串接，所述偏置电路为复合偏置电路，所述复合偏置电路的组数至少为两组，与所述放大器芯片的数量对应，所述复合偏置电路包括第一分复合偏置电路板与第二分复合偏置电路板，分别设置在所述放大器芯片的两侧，所述馈电电路基板设置在相邻两组所述复合偏置电路中同侧的两个分复合偏置电路板之间，并与其连接，所述复合偏置电路板包括电路基片、金属化图形电容与金属化图形薄膜电路板，所述金属化图形电容与所述金属化图形薄膜电路板均设置在所述电路基片表面，所述金属化图形电容与所述放大器芯片的漏级或栅极焊盘连接，所述金属化图形薄膜电路板与同一电路基片上的所述金属化图形电容连接，并与所述馈电电路基板连接，所述金属化图形电容与所述金属化图形薄膜电路板的具体连接要求根据所述放大器芯片的偏置电路设计要求确定。/n