[发明专利]阵列基板、电子装置和阵列基板的制作方法有效
申请号: | 201910961564.4 | 申请日: | 2019-10-11 |
公开(公告)号: | CN110634890B | 公开(公告)日: | 2022-04-15 |
发明(设计)人: | 周天民;黄睿;杨维;王利忠;强朝辉;杨涛;强力 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L27/32;H01L21/77;G06V40/13 |
代理公司: | 北京博思佳知识产权代理有限公司 11415 | 代理人: | 张相钦 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本申请公开了一种阵列基板、电子装置和阵列基板的制作方法。阵列基板包括衬底基板以及并列设置在其上的第一晶体管和第二晶体管,第一晶体管的第一极连接第二晶体管的第二极;阵列基板还包括光敏二极管,光敏二极管包括第一光敏电极、第二光敏电极以及设置在第一光敏电极和第二光敏电极之间的光敏层,第一光敏电极与第一晶体管的第一栅极电连接。在上述设置中,第一晶体管和第二晶体管的输入端和输出端连接,以形成一个控制电路,该控制电路的均一性和稳定性大幅提升,当功能模块(例如:指纹识别模块)集成于显示面板时,指纹识别模块中的光敏二极管与控制电路连接时,控制电路能够更好地接收光敏二极管发出的电信号。 | ||
搜索关键词: | 阵列 电子 装置 制作方法 | ||
【主权项】:
1.一种阵列基板,其特征在于,所述阵列基板包括衬底基板以及并列设置在所述衬底基板上的第一晶体管和第二晶体管,所述第一晶体管的第一极连接所述第二晶体管的第二极;/n其中,所述第一晶体管为低温多晶硅晶体管,所述第二晶体管为金属氧化物晶体管;/n所述阵列基板还包括光敏二极管,所述光敏二极管包括第一光敏电极、第二光敏电极以及设置在所述第一光敏电极和所述第二光敏电极之间的光敏层,所述第一光敏电极与所述第一晶体管的第一栅极电连接。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的