[发明专利]一种非金属阴、阳离子共掺杂的钙钛矿型混合导体膜及其制备方法与应用有效

专利信息
申请号: 201910968405.7 申请日: 2019-10-12
公开(公告)号: CN110694489B 公开(公告)日: 2021-10-26
发明(设计)人: 王海辉;李家祺;薛健;庄丽彬 申请(专利权)人: 华南理工大学
主分类号: B01D71/02 分类号: B01D71/02;B01D67/00;B01D53/22
代理公司: 广州粤高专利商标代理有限公司 44102 代理人: 何淑珍;隆翔鹰
地址: 510640 广*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明公开了一种非金属阴、阳离子共掺杂的钙钛矿型混合导体膜及其制备方法与应用。所述混合导体膜的材料的化学通式为AB1‑bBbO2.95‑δX0.05,A为锶;B为钴;B为非金属阳离子P或B;X为卤族阴离子;δ为非化学计量数,0.2≤δ≤0.7,b=0.05。本发明中,非金属阳离子在B位的掺杂减少了易被还原的碱土金属的使用,在达到降低金属原料成本的同时,提高膜材料结构的稳定性和还原性气氛中的化学稳定性;又通过卤族元素的引入构筑离子的快速运输通道。本发明可用于中高温从空气中分离出纯氧,使空气通过本发明的非金属阴、阳离子共掺杂的混合导体膜,氧气的渗透率可近达3.0 ml·min‑1·cm‑2
搜索关键词: 一种 非金属 阳离子 掺杂 钙钛矿型 混合 导体 及其 制备 方法 应用
【主权项】:
1.一种非金属阴、阳离子共掺杂的钙钛矿型混合导体膜,其特征在于,所述混合导体膜的材料的化学通式为AB
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