[发明专利]一种内嵌硅控整流器的PMOS器件及其实现方法有效
| 申请号： | 201910969259.X | 申请日： | 2019-10-12 |
| 公开（公告）号： | CN110690270B | 公开（公告）日： | 2023-03-14 |
| 发明（设计）人： | 朱天志 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L27/02 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 曹廷廷 |
| 地址： | 201315*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种内嵌硅控整流器的PMOS器件及其实现方法，通过将现有内嵌硅控整流器的PMOS器件连接阴极的高浓度N型掺杂替换为低浓度N型轻掺杂(30)，并将该PMOS器件漏极的高浓度P型掺杂(22)、高浓度P型掺杂(24)以及该低浓度N型轻掺杂(30)上表面形成金属硅化物，引出电极相连作为所述PMOS器件的阴极，并将该PMOS器件连结阳极的高浓度P型掺杂(20)与高浓度P型掺杂(26)下方的P型ESD掺杂去除，本发明可在提升PMOS器件二次击穿电流的同时提升其维持电压高于其工作电压。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 内嵌硅控 整流器 pmos 器件 及其 实现 方法 | ||
【主权项】：
1.一种内嵌硅控整流器的PMOS器件，其特征在于，所述PMOS器件包括：/n半导体衬底(80)；/n生成于所述半导体衬底(80)中的N阱(60)；/n高浓度N型掺杂(32)、高浓度P型掺杂(20)置于所述N阱(60)的左边，高浓度P型掺杂(22)、低浓度N型轻掺杂(30)、高浓度P型掺杂(24)置于所述N阱(60)的中间，高浓度N型掺杂(34)、高浓度P型掺杂(26)置于所述N阱(60)的右边，所述高浓度P型掺杂(22)的底部、低浓度N型轻掺杂(30)底部、高浓度P型掺杂(24)底部及其中间间隔部分下方设置一层P型ESD掺杂(10)；/n所述高浓度P型掺杂(20)和所述高浓度P型掺杂(22)间的上方设置第一P型栅(40)，所述高浓度N型掺杂(24)和高浓度P型掺杂(26)间的上方设置第二P型栅(42)；/n所述高浓度N型掺杂(32)的上方、高浓度P型掺杂(20)的上方生成金属硅化物并与所述第一P型栅(40)相连组成所述PMOS器件的阳极，所述高浓度P型掺杂(22)、高浓度P型掺杂(24)、低浓度N型轻掺杂(30)上方生成金属硅化物并引出电极相连作为所述PMOS器件的阴极，所述高浓度N型掺杂(34)的上方、高浓度P型掺杂(26)的上方生成金属硅化物并与所述第二P型栅(42)相连组成所述PMOS器件的阳极。/n
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海华力微电子有限公司，未经上海华力微电子有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201910969259.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种双向晶闸管及电子产品
- 下一篇：一种高压DMOS器件及其制作方法
- 同类专利
- 专利分类
