[发明专利]一种薄膜晶体管基板及其制备方法有效
申请号: | 201910975997.5 | 申请日: | 2019-10-15 |
公开(公告)号: | CN110797349B | 公开(公告)日: | 2022-04-05 |
发明(设计)人: | 张乐陶;张良芬;张晓星 | 申请(专利权)人: | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L27/32;H01L51/52 |
代理公司: | 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 | 代理人: | 李汉亮 |
地址: | 518132 广东省深*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明提供一种薄膜晶体管基板及其制备方法,薄膜晶体管基板包括依次设置的基板层、遮光层、缓冲层、有源层、栅极绝缘层、栅极层、层间介质层、源漏极层、钝化层和像素电极层,所述遮光层采用纳米核壳结构构成,所述纳米核壳结构包括纳米核和壳。本发明提供一种薄膜晶体管基板及其制备方法,采用核壳结构的纳米点作为遮光层,由于纳米核壳遮光层导电性差,不会与漏极产生电容耦合效应,可以省去为了将源极层和金属遮光层连接引入的两道黄光制程,从而减少了光罩的数量,降低了成本;另一方面,纳米核壳遮光层可以吸收短波光并将短波光转变为长波光,短波漏光不会在栅电极与遮光层之间来回反射,减少了漏光在有源层中多次反射造成的阈值电压负偏。 | ||
搜索关键词: | 一种 薄膜晶体管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
1.一种薄膜晶体管基板,包括依次设置的基板层、遮光层、缓冲层、有源层、栅极绝缘层、栅极层、层间介质层、源漏极层、钝化层和像素电极层,其特征在于,所述遮光层采用纳米核壳结构构成,所述纳米核壳结构包括纳米核和壳。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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