[发明专利]一种硫化钴掺杂聚丙烯腈薄膜及其制备方法有效
| 申请号： | 201910976715.3 | 申请日： | 2019-10-15 |
| 公开（公告）号： | CN110752097B | 公开（公告）日： | 2021-08-10 |
| 发明（设计）人： | 高延敏;张政;施方长;徐俊烽;孙存思;王明明;杨红洲 | 申请（专利权）人： | 江苏科技大学 |
| 主分类号： | H01G11/28 | 分类号： | H01G11/28;H01G11/30;H01G11/24;H01G11/86 |
| 代理公司： | 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 | 代理人： | 楼高潮 |
| 地址： | 212003*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了，本发明公开了一种硫化钴掺杂聚丙烯腈薄膜及其制备方法。这种薄膜是先由聚丙烯腈凝胶引导无机物原料析出硫化钴纳米晶体，获得一种有机无机纳米混合浆料，其中无机物原料与聚丙烯腈凝胶和分散剂的质量比为1:20～30:2；浆料经过高温环化反应之后，便可获得含有赝电容性质的硫化钴‑聚丙烯腈薄膜；若浆料涂覆在泡沫镍集流体基材表面，则高温环化后形成的薄膜和集流体可以构成赝电容，其电容值可超500F/g，2000次循环充放电之后电容容量剩余率达到70％以上。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 硫化 掺杂 聚丙烯 薄膜 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种硫化钴掺杂聚丙烯腈薄膜，其特征在于，所述薄膜由硫化钴、分散剂和聚丙烯腈组成，其中硫化钴的质量百分含量为1～5％，分散剂的质量百分含量为6～10％，余量为聚丙烯腈；薄膜的厚度为1～10μm；所述分散剂为3-R2-4-R1-1,2,5-三硫杂环庚烷，其中R1和R2为4-18个碳原子的烃基团。/n
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