[发明专利]存储器件的制造方法及该存储器件

摘要

本申请公开了一种存储器件的制造方法及该存储器件，包括：提供一衬底，该衬底包括存储单元区域和外围电路区域；对存储单元区域的有源区进行离子注入；在衬底上沉积隔离层，隔离层的最内层包括氧化硅层，隔离层的最外层包括氮化硅层；对隔离层进行刻蚀，直至衬底平面上的氧化硅层暴露在外；对外围电路区域的源端进行离子注入；在衬底沉积氧化硅层，使衬底上的图形被氧化硅层覆盖；去除存储单元区域的氧化硅层；通过湿刻蚀工艺去除存储单元区域最外层的氮化硅层；对存储区域的漏端进行离子注入。本申请能够在对栅极的侧墙进行减薄的同时不对外围电路的侧墙进行减薄，进而在保证ILD填充良率的基础上，满足外围电路的侧墙厚度以提高击穿电压窗口。

主权项

1.一种存储器件的制造方法，其特征在于，包括：/n提供一衬底，所述衬底包括存储单元区域和外围电路区域，所述存储单元区域形成有栅极，所述栅极自下而上依次包括浮栅、控制氧化层和控制栅，所述外围电路区域形成有控制栅；/n对所述存储单元区域的有源区进行离子注入；/n在所述衬底上沉积隔离层，所述隔离层的最外层包括氮化硅层；/n对所述隔离层进行刻蚀，直至衬底平面上的氧化硅层暴露在外；/n对所述外围电路区域的源端漏端进行离子注入；/n在所述衬底沉积氧化硅层，使所述衬底上的图形被所述氧化硅层覆盖；/n去除所述存储单元区域的所述氧化硅层；/n通过湿刻蚀工艺去除所述存储单元区域最外层的氮化硅层；/n对存储区域的漏端进行离子注入。/n