[发明专利]半导体器件及制造其的方法在审
| 申请号： | 201910987642.8 | 申请日： | 2019-10-17 |
| 公开（公告）号： | CN111106091A | 公开（公告）日： | 2020-05-05 |
| 发明（设计）人： | 洪俊顾;H.西姆卡;M.S.罗德 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/538 | 分类号： | H01L23/538;H01L21/48 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 张波 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种半导体器件及制造其的方法。在制造半导体器件的方法中，该方法包括：在基板上形成第一导电层；在第一导电层上形成绝缘层；形成穿过绝缘层的通路以暴露第一导电层；在通路的底部上形成自组装单层(SAM)；在通路的侧壁处形成阻挡层；去除通路的底部上的SAM；以及在阻挡层和通路的底部上形成第二导电层，使得第一导电层电连接到第二导电层而在通路的底部处在第一导电层和第二导电层之间没有阻挡层。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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