[发明专利]小功率片内整流桥电路在审
申请号: | 201910987973.1 | 申请日: | 2019-10-17 |
公开(公告)号: | CN110545047A | 公开(公告)日: | 2019-12-06 |
发明(设计)人: | 赵寿全;刘桂芝 | 申请(专利权)人: | 无锡麟力科技有限公司 |
主分类号: | H02M7/219 | 分类号: | H02M7/219 |
代理公司: | 32260 无锡市汇诚永信专利代理事务所(普通合伙) | 代理人: | 朱晓林<国际申请>=<国际公布>=<进入 |
地址: | 214192 江苏省无锡市锡*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明涉及整流电路领域,公开了小功率片内整流桥电路,包括第一NMOS管、第二NMOS管、第一PMOS管、第二PMOS管、第一驱动控制电路和第二驱动控制电路,第一PMOS管的栅极和源极短接,第二PMOS管的栅极和源极短接,第一PMOS管的源极电连接第二PMOS管的源极,第一PMOS管的漏极电连接第一NMOS管的漏极,第二PMOS管的漏极电连接第二NMOS管的漏极,第一NMOS管的源极与第二NMOS管的源极均接地,第一驱动控制电路控制第一NMOS管的通断,第二驱动控制电路控制第二NMOS管的通断,第一NMOS管的漏极电连接第一交流输入端,第二NMOS管的漏极电连接第二交流输入端。本发明中交流电分别经第一PMOS管或者第二PMOS管输出直流信号,从而降低压降,提高整流效率。 | ||
搜索关键词: | 漏极 电连接 源极 驱动控制电路 交流输入端 短接 通断 交流电 源极均接地 整流桥电路 输出直流 整流电路 整流效率 小功率 压降 | ||
【主权项】:
1.小功率片内整流桥电路,其特征在于:包括第一NMOS管、第二NMOS管、第一PMOS管、第二PMOS管、第一驱动控制电路和第二驱动控制电路;/n所述第一PMOS管的栅极和源极短接,所述第二PMOS管的栅极和源极短接,所述第一PMOS管的源极电连接所述第二PMOS管的源极,所述第一PMOS管的漏极电连接所述第一NMOS管的漏极,所述第二PMOS管的漏极电连接所述第二NMOS管的漏极,所述第一NMOS管的源极与所述第二NMOS管的源极均接地,所述第一驱动控制电路控制所述第一NMOS管的通断,所述第二驱动控制电路控制所述第二NMOS管的通断,所述第一NMOS管的漏极电连接第一交流输入端,所述第二NMOS管的漏极电连接第二交流输入端。/n
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于无锡麟力科技有限公司,未经无锡麟力科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201910987973.1/,转载请声明来源钻瓜专利网。