[发明专利]小功率片内整流桥电路在审

专利信息
申请号: 201910987973.1 申请日: 2019-10-17
公开(公告)号: CN110545047A 公开(公告)日: 2019-12-06
发明(设计)人: 赵寿全;刘桂芝 申请(专利权)人: 无锡麟力科技有限公司
主分类号: H02M7/219 分类号: H02M7/219
代理公司: 32260 无锡市汇诚永信专利代理事务所(普通合伙) 代理人: 朱晓林<国际申请>=<国际公布>=<进入
地址: 214192 江苏省无锡市锡*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明涉及整流电路领域,公开了小功率片内整流桥电路,包括第一NMOS管、第二NMOS管、第一PMOS管、第二PMOS管、第一驱动控制电路和第二驱动控制电路,第一PMOS管的栅极和源极短接,第二PMOS管的栅极和源极短接,第一PMOS管的源极电连接第二PMOS管的源极,第一PMOS管的漏极电连接第一NMOS管的漏极,第二PMOS管的漏极电连接第二NMOS管的漏极,第一NMOS管的源极与第二NMOS管的源极均接地,第一驱动控制电路控制第一NMOS管的通断,第二驱动控制电路控制第二NMOS管的通断,第一NMOS管的漏极电连接第一交流输入端,第二NMOS管的漏极电连接第二交流输入端。本发明中交流电分别经第一PMOS管或者第二PMOS管输出直流信号,从而降低压降,提高整流效率。
搜索关键词: 漏极 电连接 源极 驱动控制电路 交流输入端 短接 通断 交流电 源极均接地 整流桥电路 输出直流 整流电路 整流效率 小功率 压降
【主权项】:
1.小功率片内整流桥电路,其特征在于:包括第一NMOS管、第二NMOS管、第一PMOS管、第二PMOS管、第一驱动控制电路和第二驱动控制电路;/n所述第一PMOS管的栅极和源极短接,所述第二PMOS管的栅极和源极短接,所述第一PMOS管的源极电连接所述第二PMOS管的源极,所述第一PMOS管的漏极电连接所述第一NMOS管的漏极,所述第二PMOS管的漏极电连接所述第二NMOS管的漏极,所述第一NMOS管的源极与所述第二NMOS管的源极均接地,所述第一驱动控制电路控制所述第一NMOS管的通断,所述第二驱动控制电路控制所述第二NMOS管的通断,所述第一NMOS管的漏极电连接第一交流输入端,所述第二NMOS管的漏极电连接第二交流输入端。/n
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