[发明专利]基于SIP封装的高集成度TR模块在审
| 申请号： | 201910990377.9 | 申请日： | 2019-10-17 |
| 公开（公告）号： | CN110596647A | 公开（公告）日： | 2019-12-20 |
| 发明（设计）人： | 胡斌 | 申请（专利权）人： | 成都锐芯盛通电子科技有限公司 |
| 主分类号： | G01S7/03 | 分类号： | G01S7/03 |
| 代理公司： | 51242 成都环泰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) | 代理人： | 李斌;黄青 |
| 地址： | 610000 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种基于SIP封装的高集成度TR模块，包括TR模块本体，TR模块本体内设置有多个腔体，腔体内设置有SIP封装模块；SIP封装模块由载板、HTCC陶瓷基片和盖板组成，HTCC陶瓷基片自顶层至底层依次由幅相控制芯片层、DGND层、模拟供电层、两层介质层、射频芯片及功分网络层、低频控制层和多层AGND层，HTCC陶瓷基片顶部通过焊接层与所述盖板相连接，HTCC陶瓷基片底部通过焊接层与所述载板相连接，幅相控制芯片层、模拟供电层、射频芯片及功分网络层和低频控制层通过VIA通道与四层AGND层分别进行连接输出模拟信号并通过DGND层转换数字信号进行输出，幅相控制芯片层和低频控制层通过VIA通道连接，进而控制输出信号的幅度和相位。 | ||
| 搜索关键词： | 陶瓷基片 低频控制 控制芯片 功分网络层 封装模块 射频芯片 盖板 供电层 焊接层 控制输出信号 输出模拟信号 转换数字信号 高集成度 通道连接 介质层 顶层 板相 多层 两层 腔体 载板 封装 体内 输出 | ||
【主权项】：
1.一种基于SIP封装的高集成度TR模块，包括TR模块本体，其特征在于，所述TR模块本体内设置有多个腔体，所述腔体内设置有SIP封装模块；/n所述SIP封装模块由载板、HTCC陶瓷基片和盖板组成，所述HTCC陶瓷基片自顶层至底层依次由AGND层、幅相控制芯片层、DGND层、模拟供电层、AGND层、介质层、射频芯片及功分网络层、介质层、AGND层、低频控制层、AGND层组成，所述HTCC陶瓷基片顶部通过焊接层与所述盖板相连接，所述HTCC陶瓷基片底部通过焊接层与所述载板相连接，所述幅相控制芯片层、模拟供电层、射频芯片及功分网络层和低频控制层通过VIA通道与四层AGND层分别进行连接输出模拟信号并通过DGND层转换数字信号进行输出，所述幅相控制芯片层和低频控制层通过VIA通道连接，进而控制输出信号的幅度和相位。/n
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于成都锐芯盛通电子科技有限公司，未经成都锐芯盛通电子科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201910990377.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
