[发明专利]用于降低氮化镓晶体管中栅极电压振荡的可变电阻在审
| 申请号： | 201910990760.4 | 申请日： | 2019-10-18 |
| 公开（公告）号： | CN111092119A | 公开（公告）日： | 2020-05-01 |
| 发明（设计）人： | J·罗伊格-吉塔特;A·康斯坦特;F·J·G·德克勒克 | 申请（专利权）人： | 半导体元件工业有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L23/64 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 秦晨 |
| 地址： | 美国亚*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明题为“用于降低氮化镓晶体管中栅极电压振荡的可变电阻”。本发明提供了一种半导体晶体管器件，该半导体晶体管器件包括GaN晶体管，该GaN晶体管包括漏极、栅极和源极，GaN晶体管具有驱动电压，该驱动电压施加在栅极和源极两端，并且被配置为在与GaN晶体管的导通状态相关联的导通电压和与GaN晶体管的关断状态相关联的关断电压之间切换。半导体晶体管器件还包括可变栅极‑源极电阻器，该可变栅极‑源极电阻器连接在栅极和源极之间并具有可变电阻，该可变电阻响应于驱动电压当在GaN晶体管的导通状态和关断状态之间切换时的变化而改变。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 降低 氮化 晶体管 栅极 电压 振荡 可变 电阻 | ||
【主权项】：
暂无信息
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