[发明专利]用于消除遮蔽框架的气体限制器组件有效
申请号: | 201910993702.7 | 申请日: | 2015-01-20 |
公开(公告)号: | CN110760823B | 公开(公告)日: | 2022-08-30 |
发明(设计)人: | 赵来;王群华;R·L·迪纳;崔寿永;B·S·朴 | 申请(专利权)人: | 应用材料公司 |
主分类号: | C23C16/50 | 分类号: | C23C16/50;C23C16/455 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金国;赵静 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本公开涉及一种气体限制器组件,所述气体限制器组件被设计成通过限制气流并改变在基板边缘区域附近的局部气流分布来降低不均匀的沉积速率。所述气体限制器组件的材料、尺寸、形状和其他特征可基于处理要求以及相关联的沉积速率而变化。在一个实施方式中,一种用于处理腔室的气体限制器组件包括气体限制器,所述气体限制器被配置成减少气流并且补偿基板边缘区域上的较高沉积速率。所述气体限制器组件还包括覆盖件,所述覆盖件设置在所述气体限制器下方。所述覆盖件被配置成防止基板支撑件暴露于等离子体下。 | ||
搜索关键词: | 用于 消除 遮蔽 框架 气体 限制器 组件 | ||
【主权项】:
1.一种用于在处理腔室中的基板支撑件的气体限制器组件,所述气体限制器组件包括:/n气体限制器,所述气体限制器具有内周边和外周边;/n基底,所述基底具有:/n下表面,所述下表面适于被支撑在所述基板支撑件上;/n内部上表面和内部侧表面;以及/n外部上表面,所述外部上表面适于支撑所述气体限制器;以及/n覆盖件,所述覆盖件具有:/n外部下表面,所述外部下表面适于由所述基底的所述内部上表面和所述内部侧表面支撑;/n内部下表面,所述内部下表面适于由所述基板支撑件支撑;/n小于要处理的基板的外周边的内周边,使得基板支撑区域限定在所述覆盖件的上表面的内部上方;以及/n大于所述气体限制器的所述内周边且小于所述气体限制器的所述外周边的外周边,使得所述覆盖件的所述上表面的外部和所述基底的所述外部上表面适于支撑所述气体限制器。/n
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于应用材料公司,未经应用材料公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201910993702.7/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种PECVD石墨舟载具的制造方法
- 下一篇:一种化学镀镍液的再生处理方法
- 同类专利
- 专利分类
C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的