[发明专利]一种高转换效率的Si/ZnO异质结太阳电池的制备方法

摘要

本发明提供了一种高转换效率的Si/ZnO异质结太阳电池的制备方法，依次包括以下步骤：1)清洗硅片；2)制备中间层薄膜；3)氧化退火；4)制备AZO薄膜；5)制备背电极；6)安装掩模板；7)制备前电极；8)移除掩模板；9)还原退火，形成太阳能电池，p‑Si/n‑ZnO结构的太阳能电池以硅片作为衬底，中间层薄膜，正面N型AZO薄膜，前电极和背电极，各太阳能电池结构均采用磁控溅射技术，工艺简单，成本低，操作方便；采用的界面修饰方法简单，工艺过程及手段，操作方便，成本低；采用该界面修饰方法后能提高Si/ZnO异质结太阳电池转换效率。