[发明专利]一种多坩埚梯度冷凝晶体生长装置及其用于生长大尺寸溴化镧单晶的方法有效
申请号: | 201911000067.4 | 申请日: | 2019-10-21 |
公开(公告)号: | CN110592659B | 公开(公告)日: | 2021-09-21 |
发明(设计)人: | 牛晓冉;刘涛 | 申请(专利权)人: | 哈尔滨元雅新材料科技有限公司 |
主分类号: | C30B11/00 | 分类号: | C30B11/00;C30B29/12 |
代理公司: | 哈尔滨市文洋专利代理事务所(普通合伙) 23210 | 代理人: | 王艳萍 |
地址: | 150000 黑龙江省哈尔滨市松北区*** | 国省代码: | 黑龙江;23 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 一种多坩埚梯度冷凝晶体生长装置及其用于生长大尺寸溴化镧单晶的方法,它涉及生长溴化镧单晶的装置及方法。它是要解决现有的溴化镧单晶的生长方法的单晶质量差、易开裂的技术问题。该装置包括双层壳体、保温盖、内衬陶瓷管、两组外加热线圈、两组内加热线圈、多个控温热电偶、多个坩埚托、多个石英坩埚;其中内衬陶瓷管设置在圆柱形双层壳体的轴线上;多个坩埚托均布并固定在双层壳体与内衬陶瓷管之间的环形区域内;两组外加热线圈设置在双层壳体内;两组内加热线圈设置在内衬陶瓷管上。本方法:将溴化镧籽晶封装在石英坩埚中,再放到坩埚托上,采用全静态的原位梯度冷凝降温生长和退火,得到无开裂的大尺寸溴化镧单晶,可用于晶体生长领域。 | ||
搜索关键词: | 一种 坩埚 梯度 冷凝 晶体生长 装置 及其 用于 生长 尺寸 溴化镧单晶 方法 | ||
【主权项】:
1.一种多坩埚梯度冷凝晶体生长装置,其特征在于该装置包括圆柱形双层壳体(1)、保温盖(2)、内衬陶瓷管(3)、两组外加热线圈(4)、两组内加热线圈(5)、多个控温热电偶(6)、多个坩埚托(7)、多个石英坩埚(8);/n其中内衬陶瓷管(3)设置在圆柱形双层壳体(1)的轴线上;多个坩埚托(7)均布并固定在双层壳体(1)与内衬陶瓷管(3)之间的环形区域内;/n两组外加热线圈(4)分别设置在双层壳体(1)内的上部和下部;且双层壳体(1)设置保温层;/n两组内加热线圈(5)分别设置在内衬陶瓷管(3)中的上部和下部;/n多个控温热电偶(6)沿着双层壳体(1)内壁由上至下设置。/n
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于哈尔滨元雅新材料科技有限公司,未经哈尔滨元雅新材料科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201911000067.4/,转载请声明来源钻瓜专利网。