[发明专利]一种解决PVD成膜首枚效应的方法在审
| 申请号： | 201911000321.0 | 申请日： | 2019-10-21 |
| 公开（公告）号： | CN110724927A | 公开（公告）日： | 2020-01-24 |
| 发明（设计）人： | 刘庆华;施向东;刘善善 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/56 | 分类号： | C23C14/56;C23C14/34;H01L21/02 |
| 代理公司： | 31211 上海浦一知识产权代理有限公司 | 代理人： | 戴广志 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种解决PVD成膜首枚效应的方法，包括：提供一待成膜的晶片，将该晶片送入除水工艺腔进行加热以去除吸附水及易挥发物处理；将晶片送入搬运腔等待；等待结束后，将晶片送入溅射工艺腔进行物理溅射成膜；将成膜后的晶片将会送入冷却腔进行冷却，成膜工艺结束。本发明所提供的解决PVD成膜首枚效应的方法，溅射成膜的质量可有效避免首枚硅片成膜后造成的Al刻蚀不良，并且不影响真个工艺流程的总时间，提高生产效率，降低了工艺成本。 | ||
| 搜索关键词： | 成膜 晶片 送入 溅射成膜 工艺腔 成膜工艺 工艺成本 生产效率 易挥发物 工艺流程 冷却腔 吸附水 硅片 除水 溅射 刻蚀 去除 加热 搬运 冷却 | ||
【主权项】：
1.一种解决PVD成膜首枚效应的方法，其特征在于，该方法至少包括以下步骤：/n步骤一、提供一待成膜的晶片，将该晶片送入除水工艺腔进行加热以去除吸附水及易挥发物处理；/n步骤二、将晶片送入搬运腔等待；/n步骤三、等待结束后，将晶片送入溅射工艺腔进行物理溅射成膜；/n步骤四、将所述成膜后的晶片将会送入冷却腔进行冷却，成膜工艺结束。/n
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