[发明专利]一种高分散镍修饰二硫化钼的制备方法有效
| 申请号： | 201911004324.1 | 申请日： | 2019-10-22 |
| 公开（公告）号： | CN112694126B | 公开（公告）日： | 2021-09-14 |
| 发明（设计）人： | 王峰;张超锋;高著衍 | 申请（专利权）人： | 中国科学院大连化学物理研究所 |
| 主分类号： | C01G39/06 | 分类号： | C01G39/06;C23C18/34 |
| 代理公司： | 沈阳科苑专利商标代理有限公司 21002 | 代理人： | 马驰 |
| 地址： | 116023 辽宁省*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种高分散镍修饰二硫化钼的制备方法。该方法首先通过将含钼和含硫的前驱物按照Mo:S＝1:4～1:60的原子比例分散到同一溶液中，随后将该溶液转移至水热合成釜中，在140～220℃的条件下，反应6～48h，离心分离，洗涤，真空干燥后得到具有配位不饱和Mo中心的二硫化钼材料。随后得到的将具有配位不饱和Mo中心的二硫化钼材料按照Ni:Mo＝1:1000～1:20的原子比例分散于甲酸镍的水溶液中，随后将该混合物转移至水热合成釜中，在120～200℃的条件下处理3～48h，离心洗涤得到的固体即为高分散镍修饰的二硫化钼。该材料具有热稳定性好、比表面积大，在催化、电极材料等领域具有潜在应用。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 分散 修饰 二硫化钼 制备 方法 | ||
【主权项】：
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