[发明专利]阵列基板及其制备方法在审
| 申请号： | 201911007163.1 | 申请日： | 2019-10-22 |
| 公开（公告）号： | CN110764327A | 公开（公告）日： | 2020-02-07 |
| 发明（设计）人： | 廖辉华 | 申请（专利权）人： | 深圳市华星光电技术有限公司 |
| 主分类号： | G02F1/1362 | 分类号： | G02F1/1362;H01L23/544 |
| 代理公司： | 44570 深圳紫藤知识产权代理有限公司 | 代理人： | 杨艇要 |
| 地址： | 518132 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本申请实施例公开了一种阵列基板及其制备方法，阵列基板包括衬底基板、对位标记以及黑色矩阵层，对位标记位于衬底基板和黑色矩阵层之间，对位标记的厚度为1‑2um。本申请实施例中的阵列基板，在制备黑色矩阵层之前的阵列基板制程中，通过增加了对位标记的厚度，且在阵列基板的膜层整体高度不变的情况下，利用光阻流平特性，可减薄覆盖于对位标记上的黑色光阻材料层的厚度，从而增加了对位光源透过率，解决了BOA技术中黑色矩阵层无法准确对位的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 对位标记 阵列基板 黑色矩阵层 衬底基板 制备 光阻材料层 对位光源 流平特性 准确对位 透过率 光阻 减薄 膜层 制程 申请 覆盖 | ||
【主权项】：
1.一种阵列基板，其特征在于，所述阵列基板包括衬底基板、对位标记以及黑色矩阵层，所述对位标记位于所述衬底基板和所述黑色矩阵层之间，所述对位标记的厚度为1-2um。/n
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