[发明专利]半导体装置与其制作方法在审
| 申请号： | 201911007181.X | 申请日： | 2019-10-22 |
| 公开（公告）号： | CN111081757A | 公开（公告）日： | 2020-04-28 |
| 发明（设计）人： | 蔡国强;余科京;苏富祥;陈羿如;陈志辉 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/417;H01L29/423;H01L29/772;H01L21/335 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 傅磊;黄艳 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本申请涉及一种半导体装置与其制作方法。源极/漏极区位于基板中。栅极结构位于基板上。栅极间隔物位于栅极结构的侧壁上。栅极间隔物与栅极结构具有实质上类似的高度。通孔位于源极/漏极区或栅极结构上，并电性连接至源极/漏极区或栅极结构。遮罩层位于栅极间隔物上。遮罩层的介电常数大于栅极间隔物的介电常数。遮罩层的第一侧与通孔相邻。介电层位于遮罩层的第二侧上，其中遮罩层位于介电层与通孔之间。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 与其 制作方法 | ||
【主权项】：
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