[发明专利]集成电路器件及其制造方法

摘要

提供了集成电路器件及其制造方法。所述集成电路器件包括：导电区域，所述导电区域位于衬底上；和下电极结构，所述下电极结构包括与所述导电区域间隔开的主电极部分以及位于所述主电极部分与所述导电区域之间的桥电极部分。介电层与所述主电极部分的外侧壁接触。为了制造所述集成电路器件，在所述衬底上的模制图案的孔中形成初步桥电极层，以及在所述孔中的所述初步桥电极层上形成所述主电极部分。去除所述模制图案以暴露所述初步桥电极层的侧壁，以及去除所述初步桥电极层的一部分以形成所述桥电极部分。形成与所述主电极部分的所述外侧壁接触的所述介电层。