[发明专利]一种SRAM及其形成方法和电子装置在审
| 申请号： | 201911011958.X | 申请日： | 2019-10-23 |
| 公开（公告）号： | CN112701119A | 公开（公告）日： | 2021-04-23 |
| 发明（设计）人： | 林昱佑 | 申请（专利权）人： | 广东汉岂工业技术研发有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/11 | 分类号： | H01L27/11;H01L21/8244 |
| 代理公司： | 深圳市顺天达专利商标代理有限公司 44217 | 代理人： | 郭伟刚;车大莹 |
| 地址： | 528000 广东省佛山市顺德区大良街道办事处德和居*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种SRAM的形成方法，包括：提供衬底；在衬底上形成NMOS器件区和PMOS器件区，其中，NMOS器件区包括由SiP构成有源区的PG晶体管和由Si构成有源区的PD晶体管，PMOS器件区包括由SiGe构成有源区的PU晶体管；形成包括第一鳍状件、第二鳍状件和第三鳍状件的鳍结构，其中，第一鳍状件形成在PD晶体管，第二鳍状件形成在PG晶体管，第三鳍状件形成在PU晶体管。相较于传统的由Si组成的位于NMOS器件的鳍结构，由SiP构成有源区的PG晶体管可以将SRAM的性能提升约20％～30％，同时由于PD晶体管采用Si构成有源区，因此还可以同时保持良好的稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 sram 及其 形成 方法 电子 装置 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
