[发明专利]一种GaAs pHEMT 2/3双模分频电路有效

专利信息
申请号: 201911012173.4 申请日: 2019-10-23
公开(公告)号: CN110739963B 公开(公告)日: 2021-09-10
发明(设计)人: 吕红亮;赵冉冉;乔世兴;武岳;张玉明 申请(专利权)人: 西安电子科技大学
主分类号: H03K23/00 分类号: H03K23/00
代理公司: 西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙) 61230 代理人: 刘长春
地址: 710000 陕*** 国省代码: 陕西;61
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摘要: 发明公开了一种GaAs pHEMT 2/3双模分频电路,包括:分频器核心电路(1),连接所述逻辑门电路(2),用于接收高频差分信号,并对所述高频差分信号分频后输出电平信号;逻辑门电路(2),连接所述分频器核心电路(1),用于对所述电平信号进行逻辑运算后输出双模分频信号;其中,所述分频器核心电路(1)和所述逻辑门电路(2)均包含电平转换电路。本发明提供的GaAs pHEMT 2/3双模分频电路通过使用GaAs pHEMT工艺,同时采用源极耦合结构(SCL),使得电路能够满足更高的频率需求,同时可以使电路实现更高的工作速度、更低的功耗和更低的噪声。
搜索关键词: 一种 gaas phemt 双模 分频 电路
【主权项】:
1.一种GaAs pHEMT 2/3双模分频电路,其特征在于,包括:/n分频器核心电路(1),连接所述逻辑门电路(2),用于接收高频差分信号,并对所述高频差分信号分频后输出电平信号;/n逻辑门电路(2),连接所述分频器核心电路(1),用于对所述电平信号进行逻辑运算后输出双模分频信号;/n其中,所述分频器核心电路(1)和所述逻辑门电路(2)均包含电平转换电路。/n
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