[发明专利]一种GaAs pHEMT 2/3双模分频电路有效
申请号: | 201911012173.4 | 申请日: | 2019-10-23 |
公开(公告)号: | CN110739963B | 公开(公告)日: | 2021-09-10 |
发明(设计)人: | 吕红亮;赵冉冉;乔世兴;武岳;张玉明 | 申请(专利权)人: | 西安电子科技大学 |
主分类号: | H03K23/00 | 分类号: | H03K23/00 |
代理公司: | 西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙) 61230 | 代理人: | 刘长春 |
地址: | 710000 陕*** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | 本发明公开了一种GaAs pHEMT 2/3双模分频电路,包括:分频器核心电路(1),连接所述逻辑门电路(2),用于接收高频差分信号,并对所述高频差分信号分频后输出电平信号;逻辑门电路(2),连接所述分频器核心电路(1),用于对所述电平信号进行逻辑运算后输出双模分频信号;其中,所述分频器核心电路(1)和所述逻辑门电路(2)均包含电平转换电路。本发明提供的GaAs pHEMT 2/3双模分频电路通过使用GaAs pHEMT工艺,同时采用源极耦合结构(SCL),使得电路能够满足更高的频率需求,同时可以使电路实现更高的工作速度、更低的功耗和更低的噪声。 | ||
搜索关键词: | 一种 gaas phemt 双模 分频 电路 | ||
【主权项】:
1.一种GaAs pHEMT 2/3双模分频电路,其特征在于,包括:/n分频器核心电路(1),连接所述逻辑门电路(2),用于接收高频差分信号,并对所述高频差分信号分频后输出电平信号;/n逻辑门电路(2),连接所述分频器核心电路(1),用于对所述电平信号进行逻辑运算后输出双模分频信号;/n其中,所述分频器核心电路(1)和所述逻辑门电路(2)均包含电平转换电路。/n
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