[发明专利]多晶硅电阻结构及其制作方法

摘要

本发明提供了一种多晶硅电阻结构及其制作方法，在衬底上形成浮栅，刻蚀浮栅一侧的部分隔离结构至预定深度以形成第一凹槽，第一凹槽暴露出浮栅，之后形成控制栅作，控制栅填充第一凹槽以使得浮栅与位于其上方的控制栅相连接构成一组多晶硅电阻，接着在浮栅与控制栅上形成导电插塞，通过金属互连层连接相应导电插塞以将多组所述多晶硅电阻相串联以形成多晶硅电阻结构，增加了单位面积的电阻，从而减小了电路所需电阻的面积，缩减了芯片中电阻区域的面积，降低了成本。

主权项

1.一种多晶硅电阻结构的制作方法，其特征在于，包括：/n提供一衬底，所述衬底上形成有浮栅，所述浮栅之间形成有隔离结构，且所述隔离结构延伸至所述衬底内；/n形成绝缘层在所述浮栅与所述隔离结构上，并刻蚀所述绝缘层以暴露出所述浮栅一侧的所述隔离结构；/n刻蚀暴露出的部分所述隔离结构至预定深度以形成第一凹槽，所述第一凹槽暴露出所述浮栅；/n形成控制栅，所述控制栅位于所述浮栅的上方并填充所述第一凹槽，使得所述控制栅与所述浮栅相连接构成一组多晶硅电阻；以及，/n形成导电插塞与金属互连层，所述导电插塞位于所述浮栅与所述控制栅上，所述金属互连层连接相应所述导电插塞以将多组所述多晶硅电阻相串联形成多晶硅电阻结构。/n