[发明专利]阵列基板的制造方法、阵列基板及显示面板在审
| 申请号： | 201911013537.0 | 申请日： | 2019-10-23 |
| 公开（公告）号： | CN110729237A | 公开（公告）日： | 2020-01-24 |
| 发明（设计）人： | 刘翔 | 申请（专利权）人： | 成都中电熊猫显示科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/77 | 分类号： | H01L21/77;H01L27/12 |
| 代理公司： | 11205 北京同立钧成知识产权代理有限公司 | 代理人： | 黄溪;刘芳 |
| 地址： | 610200 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种阵列基板的制造方法、阵列基板及显示面板。阵列基板的制造方法包括：在衬底基板上间隔形成金属氧化物半导体图形和低温多晶硅半导体图形，在金属氧化物半导体图形和低温多晶硅半导体图形上依次沉积栅极绝缘层和栅极金属层，并进行光刻工艺，以在金属氧化物半导体图形的上方形成第一栅极，在低温多晶硅半导体图形的上方形成第二栅极；在第一栅极和第二栅极上沉积金属氧化物保护层，在金属氧化物保护层上形成与金属氧化物半导体图形连接的第一源极和第一漏极，并在金属氧化物保护层上形成与低温多晶硅半导体图形连接的第二源极和第二漏极。本发明能够降低显示面板的功耗。 | ||
| 搜索关键词： | 金属氧化物半导体 半导体图形 低温多晶硅 阵列基板 金属氧化物保护层 显示面板 漏极 源极 沉积金属氧化物 沉积栅极绝缘层 栅极金属层 衬底基板 光刻工艺 图形连接 保护层 功耗 制造 | ||
【主权项】：
1.一种阵列基板的制造方法，其特征在于，包括：/n在衬底基板上间隔形成金属氧化物半导体图形和低温多晶硅半导体图形，其中，所述金属氧化物半导体图形位于与阵列基板的显示区域对应的区域内；/n在所述金属氧化物半导体图形和低温多晶硅半导体图形上依次沉积栅极绝缘层和栅极金属层，并进行光刻工艺，以在所述金属氧化物半导体图形的上方形成第一栅极，在所述低温多晶硅半导体图形的上方形成第二栅极；/n在所述第一栅极和第二栅极上沉积金属氧化物保护层，在金属氧化物保护层上形成与所述金属氧化物半导体图形连接的第一源极和第一漏极，并在所述金属氧化物保护层上形成与所述低温多晶硅半导体图形连接的第二源极和第二漏极。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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