[发明专利]一种多合一MicroLED芯片及其制作方法在审
| 申请号： | 201911020221.4 | 申请日： | 2019-10-25 |
| 公开（公告）号： | CN110676285A | 公开（公告）日： | 2020-01-10 |
| 发明（设计）人： | 仇美懿;雷自合;庄家铭 | 申请（专利权）人： | 佛山市国星半导体技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/15 | 分类号： | H01L27/15;H01L33/36;H01L33/62;H01L33/00 |
| 代理公司： | 44202 广州三环专利商标代理有限公司 | 代理人： | 胡枫;李素兰 |
| 地址： | 528200 广东省佛山市南海区狮*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种多合一MicroLED芯片及其制作方法，所述MicroLED芯片包括至少三个发光结构、第一绝缘层、第二绝缘层、第一电极、第二电极、金属连接层和连接电极，所述金属连接层设置在相邻两个发光结构之间，以将相邻的发光结构形成连接；所述连接电极设置发光结构的背面和金属连接层上，将发光结构与金属连接层形成导电连接。本发明在发光结构之间形成金属连接层，将几个发光结构连接在一起，形成一个整体，有效减少转移的次数，提高生产效率。 | ||
| 搜索关键词： | 发光结构 金属连接层 绝缘层 连接电极 芯片 导电连接 第二电极 第一电极 生产效率 有效减少 多合一 背面 制作 | ||
【主权项】：
1.一种多合一MicroLED芯片，其特征在于，包括至少三个发光结构、第一绝缘层、第二绝缘层、第一电极、第二电极、金属连接层和连接电极，/n所述第一绝缘层包裹在发光结构的正面和侧壁，所述金属连接层设置在相邻两个发光结构之间，以将相邻的发光结构形成连接；/n所述第一电极贯穿第一绝缘层并与发光结构形成导电连接，所述第二电极设置在金属连接层上形成导电连接，且与第一电极位于发光结构的同侧，所述连接电极设置发光结构的背面和金属连接层上，将发光结构与金属连接层形成导电连接；/n所述第二绝缘层设置在第一电极的侧壁，将第一电极和金属连接层隔绝。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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