[发明专利]检测晶圆完整性的方法、RTP机台有效
| 申请号： | 201911022638.4 | 申请日： | 2019-10-25 |
| 公开（公告）号： | CN110767563B | 公开（公告）日： | 2022-05-27 |
| 发明（设计）人： | 王家辉;何春雷;顾海龙 | 申请（专利权）人： | 上海华力集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;H01L21/67 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 罗雅文 |
| 地址： | 201203*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本申请公开了检测晶圆完整性的方法、RTP机台，涉及半导体制造领域。该方法包括通过晶圆取片刀从RTP机台的腔室中取出晶圆；RTP机台的腔室隔离门外侧设置有红外对射传感器，红外对射传感器垂直于晶圆取片刀，红外对射传感器关于晶圆的切槽与圆心的连线对称，每个红外对射传感器包括发射器和接收器，晶圆取片刀上设置有检测传感器；通过红外对射传感器检测晶圆上的第一区域是否发生破损，通过检测传感器检测晶圆的第二区域是否发生破损，第一区域与所述第二区域之和大于等于晶圆的表面区域；解决了现有的RTP机台检测晶圆破损情况时存在盲区，无法检测晶圆全部区域是否破损的问题；达到了消除检测盲区，全面检测晶圆的破损情况的效果。 | ||
| 搜索关键词： | 检测 完整性 方法 rtp 机台 | ||
【主权项】：
1.一种检测晶圆完整性的方法，其特征在于，所述方法包括：/n通过所述晶圆取片刀从快速热处理RTP机台的腔室中取出晶圆；所述晶圆取片刀上设置有检测传感器；/n通过所述红外对射传感器检测所述晶圆上的第一区域是否发生破损，通过所述检测传感器检测所述晶圆的第二区域是否发生破损；所述红外对射传感器设置于所述RTP机台的腔室隔离门外侧，所述红外对射传感器垂直于晶圆取片刀，所述红外对射传感器关于晶圆的切槽与圆心的连线对称，每个所述红外对射传感器包括发射器和接收器；/n其中，所述晶圆上的第一区域是指晶圆上对应3点和9点方向的区域，所述晶圆上的第二区域是指晶圆上对应6点和12点方向的区域，所述第一区域与所述第二区域之和大于等于所述晶圆的表面区域。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
