[发明专利]受限源极/漏极外延区域及其形成方法在审
| 申请号： | 201911023286.4 | 申请日： | 2019-10-25 |
| 公开（公告）号： | CN111244084A | 公开（公告）日： | 2020-06-05 |
| 发明（设计）人： | 游政卫;郭紫微;杨宗熺;周立维;游明华 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02;H01L29/06;H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258 | 代理人： | 陈蒙 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本公开涉及受限源极/漏极外延区域及其形成方法。一种方法包括形成延伸到半导体衬底中的隔离区域，使隔离区域凹陷，其中，隔离区域之间的半导体区域形成半导体鳍，在隔离区域和半导体鳍上形成第一电介质层，在第一电介质层上方形成第二电介质层，对第二电介质层和第一电介质层进行平坦化，以及使第一电介质层凹陷。第二电介质层的一部分突出高于第一电介质层的剩余部分以形成突出的电介质鳍。半导体鳍的一部分突出高于第一电介质层的剩余部分以形成突出的半导体鳍。使突出的半导体鳍的一部分凹陷以形成凹槽，从凹槽外延生长外延半导体区域。外延半导体区域横向扩展以与突出的电介质鳍的侧壁接触。 | ||
| 搜索关键词： | 受限 外延 区域 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
