[发明专利]3D存储器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201911025118.9 | 申请日： | 2019-10-25 |
| 公开（公告）号： | CN110649033B | 公开（公告）日： | 2022-05-06 |
| 发明（设计）人： | 吴智鹏;韩凯;张璐;谢柳群;杨川 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L27/11563 | 分类号： | H01L27/11563;H01L27/11578;H01L27/11568 |
| 代理公司： | 北京成创同维知识产权代理有限公司 11449 | 代理人： | 蔡纯 |
| 地址： | 430074 湖北省武汉市洪山区东*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种3D存储器件及其制造方法。该3D存储器件包括：衬底；栅叠层结构，位于所述衬底上，包括交替堆叠的所述多个栅极导体层与多个层间绝缘层，所述多个栅极导体从单元区延伸至与所述单元区邻接的外围区，并且所述多个栅极导体在所述外围区中呈台阶状；多个沟道柱和多个伪沟道柱，分别在所述单元区和所述外围区中贯穿所述栅叠层结构，所述多个沟道柱到达所述衬底中的公共源区；多个栅线缝隙，从所述单元区延伸至所述外围区，并且将所述多个栅极导体分别隔开成多条栅线；以及多个伪栅线缝隙，在所述单元区中延伸至所述单元区和所述外围区之间的边界。该3D存储器件采用伪栅线缝隙减小单元区和边界处的应力梯度，以提高3D存储器件的良率和可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 存储 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种3D存储器件，包括：/n衬底；/n栅叠层结构，位于所述衬底上，包括交替堆叠的所述多个栅极导体层与多个层间绝缘层，所述多个栅极导体从单元区延伸至与所述单元区邻接的外围区，并且所述多个栅极导体在所述外围区中呈台阶状；/n多个沟道柱和多个伪沟道柱，分别在所述单元区和所述外围区中贯穿所述栅叠层结构，所述多个沟道柱到达所述衬底中的公共源区；/n多个栅线缝隙，从所述单元区延伸至所述外围区，并且将所述多个栅极导体分别隔开成多条栅线；以及/n多个伪栅线缝隙，在所述单元区中延伸至所述单元区和所述外围区之间的边界。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
