[发明专利]一种增强型场效应晶体管的形成方法在审
| 申请号： | 201911027254.1 | 申请日： | 2019-10-27 |
| 公开（公告）号： | CN110660869A | 公开（公告）日： | 2020-01-07 |
| 发明（设计）人： | 宋丽丽 | 申请（专利权）人： | 南京飞芯电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/336 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 210000 江苏省南京市建邺*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提出了一种在体硅CMOS工艺下制作多晶硅沟道SOI MOSFET的方法，适用于EEPROM工艺等双多晶硅工艺。此多晶硅沟道SOI MOSFET具有较小的源漏电容，容易形成隔离等SOI MOSFET的特性，可以用于开关器件等设计中。 | ||
| 搜索关键词： | 多晶硅沟道 多晶硅工艺 开关器件 源漏电容 体硅 隔离 制作 | ||
【主权项】：
1.一种增强型场效应晶体管的形成方法，在两层多晶硅工艺中实现多晶硅沟道的SOIMOSFET。此多晶硅沟道SOIMOSFET与体硅CMOS工艺兼容，进而提供了一种具有SOIMOSFET特性的器件。/n
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