[发明专利]SOI的制造方法在审
| 申请号： | 201911028083.4 | 申请日： | 2019-10-28 |
| 公开（公告）号： | CN110739263A | 公开（公告）日： | 2020-01-31 |
| 发明（设计）人： | 彦丙智 | 申请（专利权）人： | 沈阳硅基科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762 |
| 代理公司： | 11340 北京天奇智新知识产权代理有限公司 | 代理人： | 龙涛 |
| 地址： | 110000 辽宁省沈阳*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种SOI的制造方法，包括：氧化第一硅片的第一表面，以在第一硅片上形成第一氧化层；将第二硅片与第一氧化层相贴合，并键合第一硅片和第二硅片，以得到键合片；将键合片退火，退火温度为第一温度，退火时长为第一时长；氧化键合片，以在第一氧化层周向上形成第二氧化层；对氧化后的键合片进行倒角，抛光键合片至预设厚度，以得到SOI。本发明速提供的SOI的制造方法，在第一氧化层的四周形成第二氧化层，使得第一硅片和第二硅片之间未键合的部分被第二氧化层填充，进而增加了第一硅片和第二硅片之间的键合力，避免键合片的边缘撕裂或崩裂，减少了废品数量，提升了SOI的成品率；并且抛光面受力更加均匀。 | ||
| 搜索关键词： | 硅片 氧化层 键合片 退火 键合 时长 边缘撕裂 第一表面 氧化键合 崩裂 成品率 键合力 抛光面 抛光 倒角 受力 填充 贴合 预设 废品 制造 | ||
【主权项】：
1.一种SOI的制造方法，其特征在于，包括：/n氧化所述第一硅片的第一表面，以在所述第一硅片上形成第一氧化层；/n将第二硅片与所述第一氧化层相贴合，并键合所述第一硅片和第二硅片，以得到键合片；/n将所述键合片退火，退火温度为第一温度，退火时长为第一时长；/n氧化所述键合片，以在所述第一氧化层周向上形成第二氧化层；/n对所述键合片进行倒角；/n抛光所述键合片至预设厚度，以得到所述SOI。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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